News about Ammono

Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego oraz AMMONO mają przyjemność zaprosić Państwa na Seminarium Fizyki Ciała Stałego, które odbędzie się w dniu 10 listopada 2017 r. w sali 0.06, ul. Pasteura 5, o godzinie 10.15

Prelegent: dr Marcin Zając (Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Ammono Lab)

Temat: Krystalizacja azotku galu metodą ammonotermalną – postępy, wyzwania, perspektywy

W trakcie seminarium zaprezentowany zostanie stan obecny prac nad metodą ammonotermalną służącą do otrzymywania objętościowych podłoży azotku galu (GaN) w Polsce i na świecie. Technologia ta wykorzystuje transport konwekcyjny w nadkrytycznym amoniaku do rozpuszczania materiału źródłowego GaN i krystalizacji na rodzimych zarodkach GaN w odpowiednio dobranym gradiencie temperatur i wysokim ciśnieniu. Szczególny nacisk zostanie położony na rozwijaną w AMMONO-Lab zasadową wersję tej metody. Przedstawione zostaną postępy prac nad zwiększaniem rozmiaru kryształów do średnicy większej niż 2 cale, omówione będą technologiczne problemy związane z anizotropią wzrostu, objawiającą się powstawaniem naprężeń między materiałem rosnącym wertykalnie (wzdłuż osi c) i lateralnie (w kierunkach niepolarnych). Sposoby zminimalizowania tych problemów doprowadziły do zwiększenia efektywności produkcji podłoży GaN. Zostanie przeprowadzony przegląd własności i najnowszych wyników dotyczących kryształów GaN o różnym typie przewodnictwa (typ n, typ p, kryształy wysokorezystywne) wraz z podkreśleniem roli defektów punktowych w trakcie optymalizacji ich otrzymywania. Zaprezentowane zostaną również przykłady zastosowań podłoży GaN w różnych urządzeniach elektronicznych.

We have the pleasure to announce that our colleague from Institute of High Pressure Physics (IHPP), also known as "Unipress"-Tomek Sochacki has been invited to deliver a scene setter talk during International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-10). The title of his talk is ‘Status, perspectives, and trends in HVPE growth of bulk gallium nitride’.

Additionally, Unipress will be represented at IWBNS-10 by IHPP Director Professor Izabella Grzegory, as well as Mikolaj Amilusik and Michal Fijalkowski. The titles of their invited talks, respectively, are: ‘GaN synthesis in metallic systems used for crystal growth of diamond’, ‘Highly resistive HVPE-GaN grown on native seeds’, and ‘Comparison of structural, optical, and electrical properties of highly conductive HVPE-GaN doped with Si or Ge and grown on native seeds’.

During IWBNS-10 Marcin Zajac, PhD from AMMONO Lab will present an invited lecture titled ‘GaN crystals grown by basic ammonothermal method - state of the art, perspectives and challenges’. It will be also a scene setter presentation.

The Institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences (IHPP PAS) is currently the leaseholder  of the Ammono Company, which manufactures gallium nitride (GaN) wafers with the ammonothermal method. The lease has been conducted in the best interest of nitride semiconductor science and technology.

The Ammono Company has been in receivership since 2015. The tenancy, founded by the Polish Ministry of Science and Higher Education, will enable a close cooperation between the groups involved in ammonothermal and Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) crystallization of GaN. The latter is performed at IHPP PAS and as a result of common projects a possible synergy of these two methods has been revealed. Ammono owns a pilot line of ammonothermal GaN wafers and IHPP PAS is building a pilot line for HVPE GaN substrates.

The lease and collaboration will lead to further development of both methods and, in the future, to merging of the two technologies and mass production of high-quality GaN wafers required for electronic and optoelectronic devices based on GaN. The tenancy will also enable knowledge transfer among researchers involved in GaN crystallization for more than two decades.

For more details please contact This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

Ammono, the manufacturer of  high-quality GaN substrates by ammonothermal method is pleased to announce, that researches from School of Electrical and Computer Engineering, Department of Materials Science and Engineering, Cornell University (USA) realized N-polar GaN p-n diodes on monocrystalline Ammono-GaN substrates using plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PA-MBE) technique.