News about Ammono

Information about leasing Ammono company by the Institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences (IHPP PAS) appeared on the website more than a year ago). At that time the company was run by a court-appointed liquidator. The leasing period finishes end of June 30, 2018.

We are pleased to inform you that a new paper, entitled ‘Basic ammonothermal growth of Gallium Nitride – State of the art’ is available online. Challenges, perspectives, and progress in ammonothermal technology as well as properties of Ammono-GaN crystals and substrates are described in detail. Our results were published in a very prestigious journal (5-Year Impact Factor: 4.028  ) Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials (see https://doi.org/10.1016/j.pcrysgrow.2018.05.001)

For more details please contact This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

AMMONO (leased and led by the Institute of High Pressure Physics of the Polish Academy of Sciences) offers gallium nitride wafers of the highest quality in the world. They are prepared from bulk GaN crystallized with ammonothermal method.

In order to meet the requirements of the nitride community, AMMONO is now able to prepare wafers with a large offcut angle (large misorientation). It can reach up to 2 deg. for 1-inch and 1.5-inch GaN. Substrates with such specifications are often required for optoelectronic devices. The significant advantage of AMMONO-GaN wafers is their uniformity in terms of the offcut angle. This is specifically important for controlling the composition of epitaxial layers deposited on the substrates. The large offcut angle is offered for n-type GaN, unintentionally doped with oxygen, with a high free carrier concentration of around 1x1019 cm-3. The wafers are of high structural quality typical for AMMONO-GaN: threading dislocation density at the level of 5x104 cm-2 and extremely flat crystallographic planes (radius of curvature above 20 m and FWHM values of X-ray rocking curves of about 20 arcsec for slit size slit 100 μm × 100 μm).

The new products offered by AMMONO can improve the performance of nitride-based LEDs and laser diodes as well as might open the path to some new applications.

For further details please contact This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it..

Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego oraz AMMONO mają przyjemność zaprosić Państwa na Seminarium Fizyki Ciała Stałego, które odbędzie się w dniu 10 listopada 2017 r. w sali 0.06, ul. Pasteura 5, o godzinie 10.15

Prelegent: dr Marcin Zając (Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Ammono Lab)

Temat: Krystalizacja azotku galu metodą ammonotermalną – postępy, wyzwania, perspektywy

W trakcie seminarium zaprezentowany zostanie stan obecny prac nad metodą ammonotermalną służącą do otrzymywania objętościowych podłoży azotku galu (GaN) w Polsce i na świecie. Technologia ta wykorzystuje transport konwekcyjny w nadkrytycznym amoniaku do rozpuszczania materiału źródłowego GaN i krystalizacji na rodzimych zarodkach GaN w odpowiednio dobranym gradiencie temperatur i wysokim ciśnieniu. Szczególny nacisk zostanie położony na rozwijaną w AMMONO-Lab zasadową wersję tej metody. Przedstawione zostaną postępy prac nad zwiększaniem rozmiaru kryształów do średnicy większej niż 2 cale, omówione będą technologiczne problemy związane z anizotropią wzrostu, objawiającą się powstawaniem naprężeń między materiałem rosnącym wertykalnie (wzdłuż osi c) i lateralnie (w kierunkach niepolarnych). Sposoby zminimalizowania tych problemów doprowadziły do zwiększenia efektywności produkcji podłoży GaN. Zostanie przeprowadzony przegląd własności i najnowszych wyników dotyczących kryształów GaN o różnym typie przewodnictwa (typ n, typ p, kryształy wysokorezystywne) wraz z podkreśleniem roli defektów punktowych w trakcie optymalizacji ich otrzymywania. Zaprezentowane zostaną również przykłady zastosowań podłoży GaN w różnych urządzeniach elektronicznych.

We have the pleasure to announce that our colleague from Institute of High Pressure Physics (IHPP), also known as "Unipress"-Tomek Sochacki has been invited to deliver a scene setter talk during International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-10). The title of his talk is ‘Status, perspectives, and trends in HVPE growth of bulk gallium nitride’.

Additionally, Unipress will be represented at IWBNS-10 by IHPP Director Professor Izabella Grzegory, as well as Mikolaj Amilusik and Michal Fijalkowski. The titles of their invited talks, respectively, are: ‘GaN synthesis in metallic systems used for crystal growth of diamond’, ‘Highly resistive HVPE-GaN grown on native seeds’, and ‘Comparison of structural, optical, and electrical properties of highly conductive HVPE-GaN doped with Si or Ge and grown on native seeds’.

During IWBNS-10 Marcin Zajac, PhD from AMMONO Lab will present an invited lecture titled ‘GaN crystals grown by basic ammonothermal method - state of the art, perspectives and challenges’. It will be also a scene setter presentation.